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Dispositifs RF à base de matériaux 2D à changement de phase

Défi technologique : Matériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique (en savoir +)

Département : Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire : Laboratoire Intégration et Transfert de Film

Date de début : 01-10-2022

Localisation : Grenoble

Code CEA : SL-DRT-22-0918

Contact : lucie.levan-jodin@cea.fr

Dans la course à la miniaturisation et dans un contexte de sobriété énergétique, les matériaux 2D possèdent des propriétés extrêmement intéressantes. En effet leur dimension planaire permet la réduction de la taille des dispositifs et les rend moins gourmands en énergie. Ils sont considérés par l'industrie microélectronique comme un axe de développement majeur des composants du futur. Le laboratoire d'accueil, le LETI/DCOS/SITEC/LIFT est spécialisé dans le transfert de film mince. En effet, la fabrication des matériaux 2D se fait à très haute température (~1000°C), ils ne peuvent donc pas être directement intégrés dans des dispositifs, il faut les transférer. Cette étape délicate doit être parfaitement maitrisée pour conserver les propriétés du matériau. Le sujet proposer ici se focalise sur des applications RF. Le candidat participera à la croissance d'un matériau 2D à changement de phase type VS2, VSe, puis il réalisera le transfert et l'intégration de ce matériaux dans des dispositifs RF comprenant des dispositifs sur cavités. Ce travail est très expérimental (croissance, caractérisation, transfert, intégration?). Il permettra d'étudier le mécanisme de commutation du matériau d'une phase à l'autre et évaluer ces performances en tant que matériaux pour des application RF. Le développement du transfert sur cavités ouvre aussi la voie à de nombreuses autres applications ainsi qu'à des études plus fondamentales.

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